2026开年以来，A股半导体产业链相关板块持续走强。

1月7日商务部正式对原产于日本的进口二氯二氢硅发起反倾销立案调查，叠加AI算力需求爆发、晶圆厂扩产潮，半导体材料板块强势拉升——半导体材料指数1月7日单日大涨4.22%，今年以来板块指数涨幅达13%。

（来源：同花顺）

01三重驱动逻辑： 政策+需求+技术引爆行业红利

半导体材料板块的强势崛起并非偶然，而是需求爆发、技术突破与政策护航三大核心因素共振的结果，三重驱动逻辑相互叠加，共同引爆行业发展红利。

1、需求爆发：AI+扩产双轮驱动

首先，AI算力革命带来的需求增量尤为显著。全球AI服务器2026年出货量预计突破300万台，高带宽内存（HBM）、Chiplet先进封装等新技术的应用，直接让每片晶圆的材料用量翻倍。

尤其是3nm及以下先进制程，对材料纯度、性能的要求达到极致，进一步推动抛光液、高端光刻胶、电子特气等高端产品需求激增，同时带动产品价格水涨船高。

与AI驱动的技术迭代需求相呼应，全球晶圆厂扩产潮带来确定性产能增量，进一步放大材料需求。

2024 年全球投入运营48 座晶圆厂，2025年虽有所放缓但仍有18座新建项目，其中15座为12英寸先进制程产线。中国大陆作为全球扩产主力，2024-2027年300mm晶圆厂将从29座增至71座，占全球比重近30%，直接带动半导体材料需求持续放量。

2、技术突破：自主可控全面开花

需求爆发为行业增长提供核心动力，而国产企业的技术突破则为产业升级奠定坚实基础。

成熟制程领域，国产材料已基本实现自主可控：8英寸硅片、抛光液、靶材等产品国产化率超40%。先进制程领域，国产企业加速追赶，12英寸硅片、ArF光刻胶等产品已实现小批量供货，正逐步向14nm及以下先进工艺进军。

值得关注的是，第三代半导体材料异军突起，开辟新增长赛道。其中，碳化硅（SiC）在新能源汽车800V高压平台渗透率快速提升；氮化镓（GaN）在5G基站、快充领域需求旺盛，年复合增长率保持25%以上。

这些新材料技术壁垒高、利润空间远超传统材料，既为国产企业提供差异化竞争路径，也成为行业增长“新引擎”。

3、反倾销打开替代窗口

在需求与技术的双重支撑下，政策护航进一步为国产替代打开关键窗口，其中本次针对日本二氯二氢硅的反倾销调查堪称国产半导体材料的“及时雨”。

作为芯片薄膜沉积的关键材料，二氯二氢硅的供应安全直接关乎产业链稳定，此次调查的推进具有重要产业意义。若调查最终裁定倾销成立，预计国产二氯二氢硅市场份额有望得以快速提升。

更关键的是，调查周期为国产材料企业提供了宝贵的“验证窗口期”——企业可趁此完成技术迭代和客户认证，从“能用”升级到“好用”，彻底打破国外企业的客户粘性壁垒。

除反倾销政策外，国内产业政策持续加码为行业保驾护航。国家大基金三期3440亿元重点倾斜、地方专项基金协同加持，政策红利持续释放，推动国产材料加速突破。

02细分赛道对决：这些环节仍被海外制约

半导体材料细分赛道众多，不同领域竞争格局差异显著，整体呈现“日本厂商垄断高端、国产企业从成熟制程突围”的核心特征。在国产替代加速推进的背景下，部分细分赛道已实现突破，但仍有多个关键环节被海外企业制约，成为行业发展的核心痛点。

1、硅片：芯片之基，高端垄断待破

硅片占半导体材料市场份额37%，是绝对核心赛道，全球呈现“四巨头垄断”格局。2023年日本信越化学、胜高两大巨头合计占比56%，叠加环球晶圆、Siltronic，前四大厂商市占率超80%，行业集中度极高。

其中12英寸高端硅片垄断性更强，日本两巨头市占率合计超90%，技术壁垒集中在晶体缺陷控制、抛光精度等关键环节。

国内企业加速突围，国产化率呈结构性差异：8英寸硅片已实现规模化供应，国产化率较高；12英寸硅片整体国产化率虽仅10%，但2025年产能快速释放，头部企业正逐步进入国内12英寸晶圆厂供应链。

2、光刻胶：感光画板，高端差距显著

光刻胶是光刻工艺核心材料，高端领域垄断格局严峻。全球市场上，日本JSR、东京应化、信越化学、住友化学四大厂商合计占据80%份额，

其中适配14-28nm制程的ArF光刻胶，前四大厂商市占率高达92%。适配7nm及以下制程的EUV光刻胶仅日本三家企业实现量产，全球市占率超95%，国内国产化率近乎为零。

国内产业仍处追赶阶段：G/I线光刻胶（成熟制程）国产化率超40%，KrF光刻胶（28nm）约10%，ArF光刻胶不足1%，高端领域是国产替代核心攻坚方向。

3、电子特气：隐形功臣，结构分化明显

电子特气是蚀刻、掺杂等工艺核心耗材，全球市场由日美企业主导，合计占据82%份额。日本大阳日酸（18%）在高纯氟化物、六氟化硫等产品中市占率达40%；关东电化的三氟化氮、六氟化钨等蚀刻气体，全球占比超30%。

国内产业呈现“结构不均”特征，整体国产化率约25%：三氟化氮、六氟化钨等大宗产品已实现国产化，但高端刻蚀气、掺杂气（如砷化氢）国产化率不足20%。先进制程所需7N级以上高纯度气体进口依存度达70%，其中日本产品占进口总量45%，供应风险不容忽视。

4、其他关键赛道：高低端分化显著

溅射靶材领域，全球呈现“日美垄断高端”特点，日本日矿金属（28%）、美国霍尼韦尔（22%）主导行业；国内中低端产品国产化率超60%，高端产品不足5%。

光掩模领域，日本三大厂商合计占据62%全球份额，EUV光掩模完全垄断，国内28nm及以下高端产品国产化率不足5%。

CMP材料领域，抛光液国产化率达30%，但抛光垫仅20%，高端产品高度依赖进口。

梳理各细分赛道国产化进展可见，成熟制程材料已实现批量替代，但先进制程高端材料仍存在巨大缺口。

低国产化率环节集中呈现三大特征：一是先进制程专属材料（如EUV光刻胶、5nm级靶材），二是技术壁垒极高的高端品类（如EUV光掩模、高端电子特气），三是先进封装配套材料（如ABF基板、晶圆级底部填充胶）。这些环节既是制约国内半导体产业发展的核心痛点，也是国产替代的核心战场。

03淘金指南： 三大方向捕捉千亿投资机会

基于政策、需求、技术三大核心驱动逻辑，结合细分赛道竞争格局与国产化率水平，半导体材料行业的投资机会已清晰显现。

1. 高端攻坚型：瞄准低替代核心环节

这类环节国产化率不足10%，替代空间最大，是政策支持和技术突破的核心方向。

具体来看：光刻胶领域重点关注ArF光刻胶规模化量产和EUV光刻胶技术突破，受益于先进制程迭代和日本供应收紧。高端靶材方面，钽靶、钨靶等先进制程专用靶材，随着国内晶圆厂先进制程产能释放，验证通过后将快速放量；电子特气领域，六氟丁二烯、锗烷等高端产品进口依存度高，国内企业已进入中试阶段，具备技术突破条件。

2. 政策受益型：反倾销直接利好赛道

这类赛道直接承接中日贸易政策调整红利，短期替代空间明确，确定性较强。

其中，工艺化学品以二氯二氢硅为代表，反倾销调查将直接提升国产份额，国内企业在纯度控制上已达标，具备快速替代能力；光刻胶上游原料如树脂、光引发剂等，由于日本光刻胶企业依赖中国原料供应，相关管制政策将提升国产原料话语权；氟系电子特气领域，受日本关东电化工厂爆炸后产能收缩影响，国内相关企业有望承接全球份额，打开增长空间。

3. 需求爆发型：AI+扩产驱动增量赛道

这类赛道需求随AI技术迭代和晶圆厂扩产呈指数级增长，成长确定性高。

12英寸硅片全球产能紧张，国内企业产能快速释放，将直接受益于晶圆厂扩产潮；第三代半导体材料中，碳化硅、氮化镓等适配新能源汽车等新兴场景；CMP材料领域，先进制程中CMP抛光步骤大幅增加，带动抛光液、抛光垫需求同步放量，国产企业已具备进口替代能力，将充分享受需求增长红利。

04结语： 千亿风口已至，布局正当时

综合来看，从反倾销政策落地为国产材料打开替代窗口，到AI需求爆发重构行业需求格局，再到国产企业技术突破打破海外垄断，半导体材料板块的强势表现，本质是行业从“单点突破”向“全面突围”的历史性跨越。

当前，半导体材料行业已进入黄金增长期，国产替代向高端渗透的趋势明确，技术迭代与需求爆发形成双重支撑，长期确定性机会值得重点布局。对于投资者而言，当前正是把握产业升级红利的核心窗口。

格隆汇研究院持续跟踪半导体材料全产业链，聚焦技术突破与客户认证核心环节，从全球竞争格局、政策导向、产能扩张等多维度挖掘核心机会。

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