英诺赛科作为氮化镓（GaN）技术领域的佼佼者，自开启港股IPO进程以来，吸引了行业内众多关注。据其招股书显示，英诺赛科的年度收入从2021年的6820万元跃升至2023年的5.9亿元，收入复合年增长率高达194.8%，其迅猛的增长态势展现出公司强大的市场竞争力。

大额非经常性损益期满终止 财务状况显著改善

尽管公司综合实力在细分领域有着明显优势，但其财务状况近期也受到了市场的广泛关注。

利润方面，其招股书显示，公司最近三年（2021年至2023年）合计净亏损约67.07亿元，净亏损中两项非经营性因素影响较大，第一项是公司历次融资过程中授予投资者金融工具赎回权产生的负债账面值变动31.97亿元，该等赎回权现已终止；第二项是公司雇员激励计划产生的股份支付1.37亿元，公司对核心团队的激励也有助于未来长足发展。

分析人士指出，仅就经调整净亏损来看，公司近三年经调整净亏损合计约33.73亿元，其中2023年经调整净亏损约为10.16亿元，较2022年的净亏损12.77亿元收窄，显示出公司在营收规模快速扩大时，整体运营质量正在快速改善。

成立至今，英诺赛科已获得招银国际、吴江产投、SK中国、华业天成、钛信资本、武汉高科、珠海高新投、中天汇富、中国平安、国民创投、毅达资本等机构的多轮融资，长期价值一直深受资本青睐。

“综合来看，英诺赛科的业务增长势头强劲，业务亏损范围逐渐收窄。”在市场人士看来，这既反映英诺赛科前期大量制造和研发转向大规模生产，资本性支出带来的亏损减轻；也显示英诺赛科转向大规模制造，公司正进入市场正向回报阶段，盈利能力有望持续提升。

先期研发投入巨大 积极构建技术壁垒

据招股书显示，英诺赛科近年来亏损的另一主要原因源于对研发的巨额投入、市场扩张以及生产规模的扩大，这些初期成本恰恰反映了公司对技术创新的高度重视和对构建技术壁垒的坚定承诺。

自2021年至2023年，英诺赛科的研发投入分别达到了6.6亿元、5.8亿元和3.5亿元，充分体现了公司对技术研发的持续重视和对行业前沿探索的不懈追求。为进一步加强其在全球半导体行业的领导地位，英诺赛科在中国苏州建立了全球研发中心，旨在成为第三代半导体材料及芯片的顶尖研究基地。

截至目前，英诺赛科已在全球范围内积累了约700项专利及专利申请，覆盖芯片设计、器件架构、晶圆制造、封装及可靠性测试等多个关键技术领域，构筑了坚实的知识产权壁垒。

在人才储备方面，英诺赛科汇聚了一支由397名专业人才组成的精英研发团队，其中大部分成员具备深厚的半导体行业背景和丰富经验。不仅如此，公司还积极布局国际研发资源，在欧洲、北美及亚洲设立研发团队，专注于产品设计、研发及可靠性评估，确保其产品和技术始终保持国际领先水平。

研发成果转化加速 业绩改善指日可待

经过多年的研发深耕及技术积累，英诺赛科在核心技术和关键工艺上始终保持着战略前瞻性和突破性，通过与消费电子产品、汽车、可再生能源等领域的知名客户深度合作，率先拓展氮化镓产品的应用场景，推出创新解决方案，引领行业标准制定，促进市场健康竞争。

截至2023年12月31日，以折算氮化镓分立器件计，公司的累计出货量超过5亿颗，成为全球氮化镓应用领域的领军企业，并与全球多家主要公司建立了稳固的供应合作关系。

在可再生能源及工业应用领域，英诺赛科的氮化镓产品以其先进的技术、高效的性能和成本效益，广泛应用于锂离子电池化成分容设备、电池管理系统、LED照明、光伏及储能系统以及电机驱动器及控制器，为绿色能源转型和工业智能化提供了强有力的支持。

在汽车电子领域，英诺赛科的氮化镓产品凭借其出色的高功率和快速响应特性，在48V电源系统及LiDAR系统中发挥着关键作用，特别是在自动驾驶车辆的LiDAR系统中，有效提升了车辆的安全监测能力和自动驾驶体验。

值得一提的是，公司于2021年获得了IATF 16949车规级认证，标志着其产品质量和管理体系达到了国际汽车行业的一流标准。

针对数据中心应用，英诺赛科的氮化镓产品能够显著提高功率转换效率和设备轻量化，减少传统多阶段电源转换的体积，形成更节能的设计，助力数据中心实现更高能效和可持续发展。

业内人士表示，IDM半导体企业历来是资产密集型行业，前期资本开支巨大，盈利周期较Fabless企业更长。但IDM企业一旦形成稳定的竞争格局，其未来发展空间不可小视。因此，单单从财务亏损情况去评价一家行业龙头企业的竞争力难免有失偏颇。随着英诺赛科的持续创新和市场拓展，其不仅巩固了其在8英寸氮化镓晶圆领域的领先地位，也为全球半导体行业注入了新的活力。

“随着技术的日益成熟和市场规模的不断扩大，英诺赛科快人一步，抢占优质赛道。”上述分析人士认为，凭借其前瞻性决策和对行业长远发展的笃定，作为行业龙头的英诺赛科有望迎来更加光明的盈利前景。