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半导体产业网获悉：2024年12月18日，中国氮化镓晶圆制造商英诺赛科（02577.HK）启动招股，并将于2024年12月23日结束招股。该公司计划全球发售4536.4万H股，其中香港公开发售占10%，国际配售占90%，另有约15%超额配股权。

保荐人：中金公司、招银国际

基石投资者：STMicroelectronics、江苏国有企业混合所有制改革基金、江苏苏州高端装备产业专项母基金、苏州东方创联投资管理有限公司，合计申购占比52.97%

招股价格：30.86港元-33.66港元

集资额：14.00亿港元-15.27亿港元

总市值：271.31亿港元-295.92亿港元

每手股数：100股

入场费：3399.95港元

招股时间：12月23日截止

上市时间：12月30日

招股总数：45,364,000股H股

公开发售：4,536,400股H股（10%）

国际配售：40,827,600股H股

绿鞋：680.46万股

发行比例：5.2%

公告显示，英诺赛科每股发售价介乎30.86-33.66港元，最高或筹资15.27亿港元。每手100股，股份预期定价日为12月24日，预期将于2024年12月30日上市。

英诺赛科基石投资者分别为STHK、江苏国企混改基金、东方创联、苏州高端装备，一共认购1亿美元，其中，STHK认购5000万美元，江苏国企混改基金认购2500万美元，东方创联、苏州高端装备分别认购1250万美元。

根据战略，英诺赛科拟将所得款项净额中，约60%用作扩大8英吋氮化镓晶圆产能、购买及升级生产设备及机器以及招聘生产人员；约20%用于研发及扩大产品组合，以提高终端市场中氮化镓产品的渗透率；约10%用于扩大氮化镓产品的全球分销网络；约10%用于营运资金及其他一般企业用途。

英诺赛科主要业务情况：

英诺赛科是一家成立于2015年的高新技术企业，专注于第三代半导体硅基氮化镓外延及器件研发，拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力，并且是全球唯一实现量产氮化镓高、低压芯片的IDM企业。按收入计，英诺赛科2023年在全球所有氮化镓功率半导体公司中排名第一。

英诺赛科通过IDM模式，能够对硅基氮化镓半导体产品的设计、制造及测试的全流程进行自主控制。

IDM模式：即集成器件制造模式，在这种模式下，企业不仅进行集成电路的设计，还拥有自己的晶圆制造、封装和测试设施，自行完成芯片的全生命周期，包括从设计到制造的整个过程。IDM模式的主要优势在于设计至制造等环节可以协同优化，有助于充分发掘技术潜力，并且能够率先试验并推出新的半导体技术。不过，该种模式对公司的规模以及管理运营成本方面的要求较高，通常被技术领先的全球性大公司采用，如三星、德州仪器、英特尔等。

据招股书显示，IDM模式使英诺赛科能够先于竞争对手快速了解并解决与产品应用相关的痛点，从而增强先发优势。据弗若斯特沙利文资料，IDM模式已成为行业优先选择的模式，并有望于不久的将来占主导地位。公司设计、开发及制造的氮化镓产品适用于广泛的应用领域（见下图），包括消费电子（手机充电器、过压保护芯片等）、可再生能源（LED照明、光伏及储能系统等）及工业应用、汽车电子（LiDAR、电池系统）及数据中心。

公司的氮化镓产品有多种不同的产品形态，遍及产业价值链，包括氮化镓晶圆、氮化镓分立器件、氮化镓集成电路及氮化镓模组（见下图）。

氮化镓晶圆：

截至2023年12月31日，公司拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地，产能达到每月1万片晶圆，晶圆良率超过95%。同时，公司生产的8英寸硅基氮化硅晶圆与6英寸的相比，晶圆晶粒产出数增至80%，单一器件成本降低30%，并具有高开关频率、零反向恢复电荷、低栅极电荷及低输出电荷的特点。

氮化镓分立器件及氮化镓集成电路：

公司的产品研发覆盖15V至1200V。其中，公司开发出器件产品双向氮化镓芯片V-GaN系列，可应用于消费电子、工业应用等多个领域。V-GaN系列是公司首创的专利技术，最大的特点是由于可以实现双向导通，一颗V-GaN芯片能替代两颗硅MOSFET（金属氧化物半导体效应晶体管），从而达到节省空间、降低发热的效果。于2023年，公司销售了164类氮化镓分立器件，累计出货量超过5亿颗，处于世界前沿。

氮化镓模组：

英诺赛科能够提供全链路、高效、高频及高功率密度的集成氮化镓解决方案。在市场中，公司推出了全系列氮化镓模组，包括氮化镓锂电池化成分容设备电源模组，让功率密度及运行效率显著提升。

例如，公司生产的氮化镓单相微型逆变器应用于光伏领域，可直接将单个面板的直流电转换为交流电。采用氮化镓的单相微型逆变器可以将传统的单相微型逆变器频率提升一倍或两倍，同时将系统损耗降低约30%，从而能够相容于更高容量的太阳能电池板。此外，该种单相微型逆变器亦将微型逆变器的尺寸减少约30%，并将成本减少约20%。截至2023年12月31日，公司的研发工作已累计获得213项专利，其中包括173项发明专利及40项实用新型专利，以及480项专利申请，覆盖芯片设计、器件结构、晶圆制造、封装及可靠性测试等关键领域。

目前，英诺赛科实现了集芯片设计、芯片制造、芯片封装和测试等多个产业链环节于一身，采用IDM业务模式（即全产业链模式）。客户包括半导体制造服务供应商、专门从事可再生能源技术的高科技公司以及汽车OEM的一级供应商。

英诺赛科主要财务数据：

氮化镓（GaN）是由人工合成的一种半导体材料，是第三代半导体材料的典型代表。相比于硅、砷化稼等第一、二代半导体材料，第三代半导体材料具备高功率、耐高温、耐高压等多个方面的明显优势。氮化镓产品如今已经广泛应用在了消费电子快充、新能源汽车、工业等领域。英诺赛科也已经收获小米、OPPO、比亚迪等众多大客户。

2021年至2023年，英诺赛科实现的营收分别为0.68亿元、1.36亿元和5.92亿元，2022年同比增长99.7%，2023年增长335.2%，复合年增长率为194.8%。收入持续增长的英诺赛科，目前仍未实现盈利。报告期内，英诺赛科经营亏损金额分别10亿元、11.8亿元和9.8亿元，合计31.6亿元。

英诺赛科表示，公司持续亏损原因在于生产设备大幅折旧、大额研发开支、销售及营销开支的不断增加。

分产品来看，英诺赛科提供分立器件及集成电路、晶圆、模组等产品。2023年，英诺赛科开始供应氮化镓模组，分立器件及集成电路、晶圆、模组三大产品的营收占比分别为32.4%、35.2%、32.1%。

据招股书，2021年至2023年，中国市场始终是英诺赛科的业务重心，其收入分别为0.68亿、1.3亿及5.35亿，占同年总收益的99.7%、95.5%及90.2%。

值得关注的是，英诺赛科在海外市场也实现了扩张。除了在苏州、珠海建立工厂外，英诺赛科同时在硅谷、首尔、比利时等地设立子公司。英诺赛科拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地。截至2023年12月31日，产能达到每月10000片晶圆，实现了产业规模的商业化，晶圆良率超过95%。2021年至2023年，英诺赛科的产能利用率分别为72.3%、69.8%及71.8%。

2023年，英诺赛科已向国内和海外（包括亚洲、欧洲和北美）约100名客户提供了氮化镓产品。2021年至2023年，公司海外市场占同年总收益的0.3%、4.5%及9.8%，2023年营收接近0.58亿元。

公司的销售成本包括工程及维修成本、折旧及摊销、封装及测试成本、材料成本、公用设备成本、制造人员成本、存货减记成本等。其中，工程及维修成本、折旧及摊销和封装及测试成本为最主要的销售成本，于2023年分别占总成本的30.0%、29.0%及19.8%。

作为一家科技型公司，英诺赛科在研发上的投入相当高，自2021年至2023年及今年上半年分别是同期总收入的970%、426%、58.8%及37.7%。

英诺赛科称，研发开支有所减少，主要是自2022年第二季度起，英诺赛科从研发阶段进展至大规模生产阶段。截至2023年底，公司拥有397名研发人员。公司在全球有约700项专利和专利申请，涵盖芯片设计、器件结构、晶圆制造、封装及可靠性测试等关键领域。

图源：英诺赛科

英诺赛科融资情况：

招股书显示，自2018年至2024年，英诺赛科累计进行了5轮融资，融资总额达到62.3亿元，投资方阵容包括钛信资本、毅达资本、创新证券、海富产业基金、永刚集团、国民创投、招银国际资本、朗玛峰创投、SK中国、ARM等知名投资机构及行业巨头。截至2024年4月1日的E轮融资后，按28.13元的每股价格计算，公司的投后估值达到234.5亿元（约250亿港元）。

2018年6月，英诺赛科完成A轮融资5500万元；

2021年1月，公司完成B轮融资15.02亿元；

同月，公司完成C轮融资14.18亿元；

2022年2月，公司完成D轮融资26.09亿元；

今年4月，英诺赛科刚刚完成了E轮融资，融资金额为6.5亿元。合计五轮融资金额超过60亿元。

英诺赛科此次IPO，募资净额约13.637亿港元(按发售价范围中位数计)：英诺赛科IPO募集所得资金净额将主要用于扩大8英寸氮化镓晶圆产能、购买并升级生产设备与机器，以及招聘生产人员；研发并扩大产品组合扩大氮化镓产品的全球分销网络等方面。此次申请港股上市，英诺赛科计划将IPO募集所得资金净额用于以下项目：

1、60.0%用于扩大8英寸氮化镓晶圆产能（从截至2023年12月31日的每月10,000片晶圆扩大至未来五年每月70,000片晶圆）、购买及升级生产设备及机器及招聘生产人员。

2、20.0%用于研发及扩大产品组合，以提高氮化镓产品在终端市场（如消费电子产品、可再生能源及工业应用、汽车电子及数据中心）的渗透率。计划推出新产品，包括低电压及高电压氮化镓晶圆、分立器件及集成电路。

3、10.0%用于扩大氮化镓产品的全球分销网络；

4、10.0%用于营运资金及其他一般公司用途。

英诺赛科招股书链接：

https://www1.hkexnews.hk/listedco/listconews/sehk/2024/1218/2024121800032_c.pdf

（转自：第三代半导体产业）