近日，备受瞩目的第31届半导体年度奖（Semiconductorof the Year 2025）颁奖典礼在日本东京举行。中国半导体材料领域的领军企业——山东天岳先进科技股份有限公司（以下简称“天岳先进”），凭借其在碳化硅衬底材料技术上取得的革命性突破，荣获由日本权威半导体媒体《电子器件产业新闻》颁发的“半导体电子材料”类金奖。这是我国企业首次获得该奖项。

此次荣获金奖，天岳先进力压日本顶尖半导体材料巨头三井化学和三菱材料等强劲对手，这标志着天岳先进已成功跻身半导体领域全球顶尖公司行列。

今年6月份，天岳先进还收获另一奖项——第二十五届中国专利银奖。相关数据显示，截至2024年12月31日，天岳先进及下属子公司累计获得发明专利授权194项，实用新型专利授权308项，其中境外发明专利授权14项。

据天岳先进财报披露，2024年企业实现营业收入17.68亿元，同比增长41.37%。公司归属于母公司所有者的净利润18046.40万元，同比增加22618.45万元，扭亏为盈；归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润15753.19万元，同比增加27025.27万元，实现扭亏为盈。

天岳先进成立于2010年，是全球领先的第三代宽禁带半导体衬底材料生产商，主要产品包括半绝缘型和导电型SiC衬底。经过十余年发展，已掌握涵盖设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工等全环节核心技术，自主研发了不同尺寸半绝缘型及导电型SiC衬底制备技术，是全球少数能够实现8英寸碳化硅衬底量产及商业化的公司之一，也是全球首家发布12英寸碳化硅衬底的公司。