当下全球科技圈正掀起一场隐秘的资源争夺战，争夺的核心并非稀土，而是一种名为磷化铟的小众半导体材料。

各国企业争相抢购，订单排期已排至明年，价格一路飙升。很少有人知道，中国手握全球80%的精铟产能，是妥妥的资源大国，却在高端磷化铟领域处处受制于人，这背后的差距，藏着中国半导体产业的关键痛点。

磷化铟的突然爆火，并非偶然，而是AI算力革命与高端通信技术迭代的必然结果。

传统硅材料在高频高速场景下的短板日益凸显，而磷化铟的电子迁移率是硅的10倍以上，能轻松支撑100GHz以上超高频信号处理，是高速光模块、卫星通信、激光雷达的核心材料，更是AI数据中心突破算力瓶颈的关键。

这种材料的稀缺性，既源于自身的制备难度，也源于供需的严重失衡。2025年，全球磷化铟器件需求已飙升至200万片，而全球能稳定供货的产能仅60万片，缺口高达170万片。

更关键的是，磷化铟的扩产周期长达12至24个月，即便头部企业加急扩产，短期内也难以缓解紧缺态势，这也让其成为全球争抢的“香饽饽”。

美国AXT公司的数据最能体现其热度，2024年第三季度，该公司磷化铟相关业务收入暴涨250%，创下三年新高，截至2025年，其手上积压的订单就达5000万美元。

除了民用领域，磷化铟在军事通信、雷达探测等领域也不可或缺，成为各国科技竞争的战略资源，这也让这场抢购战愈发激烈。

铟是制备磷化铟的核心原料，而中国在铟资源上拥有绝对的垄断优势。铟多伴生于锌矿，是锌冶炼的副产品，中国作为全球主要锌生产国，精铟产量占据全球80%以上，远超其他国家总和。

2023年全球精铟产量达2334吨，其中中国原生铟产量就有646吨，占全球原生铟产量的50%左右，牢牢掌握着原材料的话语权。

尽管中国拥有充足的精铟资源，但这些资源大多以初级产品形式出口，附加值极低。国内企业主要从事金属精深加工，在高纯铟及其氧化物加工领域，与海外企业存在差距。

这就导致，我们手握核心原料，却无法将其转化为高端产品，只能看着原材料被运往国外，加工成高端磷化铟后，再以高价进口回国。

全球高端磷化铟市场，长期被日美法三国垄断，这三家企业合计占据全球90%以上的市场份额。

日本住友电工以成熟的技术和稳定的良率领跑，美国AXT凭借成本优势占据重要地位，法国II-VI则聚焦高端外延片领域，掌控着核心技术壁垒。

中国高端磷化铟自给率极低，大部分依赖进口，甚至在部分关键领域，进口依赖度接近100%。

2026年1月，美国进一步收紧对中国磷化铟供应链的限制，强制有中资背景的瀚孚光电，剥离其持有的Emcore公司磷化铟芯片业务，目的就是阻止中国掌握高端磷化铟技术。

这一举措也让中国高端半导体产业的短板暴露无遗，即便拥有充足的原材料，没有核心制备技术，依然会被“卡脖子”。

高端磷化铟的制备，核心难点集中在衬底生产和外延工艺上。衬底的尺寸和纯度，直接决定了磷化铟芯片的性能。

目前国外已实现8英寸衬底批量生产，而中国国内企业大多只能实现4英寸衬底批量供货，6英寸衬底虽已通过部分企业验证，但良率和稳定性仍需提升，8英寸衬底则完全依赖进口。

除此之外，磷化铟多晶原料的纯度也存在差距。高端磷化铟需要高纯磷化铟多晶作为原料，而国产多晶在纯度、电学性能和稳定性上，与国外产品仍有差距，这也成为制约中国高端磷化铟发展的重要瓶颈。

即便国内企业在部分工艺上取得突破，也难以快速实现规模化量产，无法满足国内激增的需求。

面对国外的技术封锁和市场垄断，中国正加速推进磷化铟国产化进程。磷化铟衬底已被列入国家重点新材料目录，国家芯片大基金加大投入，给予税收优惠，助力国内企业突破技术瓶颈。

九峰山实验室联合云南鑫耀等企业，成功开发6英寸磷化铟基外延生长工艺，关键性能达到国际领先水平。

云南鑫耀作为国内衬底龙头，目前6英寸衬底良率已提升至60%，成本较进口产品低15%至20%，2026年产能有望突破25万片。

光迅科技也实现了InP基EML激光器、PIN探测器自主化，形成了“衬底-芯片-模块”的垂直整合能力，但这些突破，距离打破国外垄断、实现高端自给，仍有很长的路要走。

这场磷化铟的全球争抢，给中国半导体产业带来了深刻启示。拥有资源优势，并不等于拥有产业优势，从“卖原材料”到“造核心产品”，中间的技术鸿沟，需要长期的研发投入和积累。

中国在稀土、铟等战略资源上的优势，若不能转化为技术优势，最终仍会在全球产业竞争中处于被动地位。

随着AI、6G、激光雷达等领域的快速发展，未来五年，磷化铟的需求将以每年25%以上的速度增长，市场空间巨大。

唯有坚持技术自主，加大研发投入，推动科研成果产业化，才能将资源优势转化为产业优势，打破国外垄断，实现半导体产业的真正崛起。

欢迎在评论区留言，说说你认为中国多久能突破高端磷化铟技术，摆脱进口依赖？