开发SiC材料深刻蚀设备，中锃半导体完成数千万融资
2024年以来，SiC产业链投融资持续火热，近期又有一家厂商受到资本市场青睐，开启了融资大门。
近日，中锃半导体（深圳）有限公司（以下简称中锃半导体）完成数千万元人民币天使轮融资。本轮融资由国科京东方、国核曜能、望众投资等共同出资，将主要用于研发平台搭建、原型设备和核心工艺开发等方面。
source：拍信网
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中锃半导体剑指SiC技术突破
作为一家成立于2023年10月的初创企业，中锃半导体已在设备研发制造、工艺等方面积累了一定的经验和技术。目前，中锃半导体正全力开发针对SiC材料的深刻蚀设备和工艺（Deep SiC Etch），用以支持沟槽栅（Trench-Gate）的实现和更广阔器件设计窗口。
据悉，通过沟槽栅技术，SiC产品可以缩小芯片的表面积，让单个晶圆能产出更多的芯片。因此，这项技术有助于SiC产业降本增效。除了降低成本外，沟槽栅还可以避免寄生Jfet效应带来的额外内阻。比如，英飞凌就曾通过沟槽，来选择更好晶面进而改善栅氧界面和提高器件性能等。
目前，如何应对SiC超高硬度等材料特性，实现SiC深刻蚀以高效地实现沟槽栅技术等工艺的具体形貌要求，已成为产业界关注的焦点问题。
在本土设备厂商中锃半导体针对SiC材料的深刻蚀设备和工艺支持下，国内SiC厂商有望加速实现SiC深刻蚀技术突破，进而推动沟槽型SiC器件研发和量产，最终共同实现在SiC技术方面的“弯道超车”。
据了解，中锃半导体未来还将联合产业伙伴研发先进的等离子体干法刻蚀设备和“SiC－Trench－Etch”的工艺解决方案，帮助客户实现工艺的落地、量产和良率提升，并致力于将“等离子体干法刻蚀技术（Plasma Dry Etch）”推广到更多应用领域。未来，随着这些技术和设备落地应用，也有望推动包括SiC在内的先进半导体产业加速发展。
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沟槽型SiC器件转型趋势
中锃半导体的SiC材料深刻蚀设备和工艺，对于实现沟槽型SiC器件意义重大。近年来，国内外厂商纷纷将目光瞄准了沟槽栅SiC MOSFET，深刻蚀设备和工艺有望得到广泛应用。
国内厂商方面，去年12月底，积塔半导体与安建半导体达成多项合作，其中就包括加速完成安建在积塔代工的平面型SiC MOSFET器件开发，并携手迈进新一代沟槽型SiC MOSFET器件开发。
时代电气则在今年2月初表示，其SiC芯片生产线技术能力提升建设项目进展顺利，项目建成达产后，能够将现有平面栅SiC MOSFET芯片技术能力提升到满足沟槽栅SiC MOSFET芯片研发能力。
积塔半导体与安建半导体携手开发项目由平面型SiC MOSFET器件转向沟槽型SiC MOSFET器件，以及时代电气向沟槽栅SiC MOSFET芯片研发升级，都与沟槽型SiC MOSFET器件优势有关。量产沟槽型SiC MOSFET器件的厂商普遍认为，相比平面型结构，沟槽型SiC MOSFET在成本和性能方面都具有较强优势。
国际厂商当中，罗姆是率先转向沟槽型SiC MOSFET的公司。早在2015年，罗姆就在世界范围内率先开发出采用沟槽结构的SiC MOSFET。与已经量产的平面型SiC MOSFET相比，同一芯片尺寸的导通电阻可降低50%，这利于降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用逆变器等相关设备的功率损耗。
在1992年就开始研发SiC功率器件的英飞凌并没有选择进入平面结构市场，而是直接选择了沟槽结构，并在2017年发布沟槽型SiC MOSFET。此外，电装的沟槽型SiC MOS也已正式商用。
未来，大概率将有更多国内外厂商转型沟槽型SiC器件，对于中锃半导体等持续致力于相关特色工艺、设备研发的厂商而言，也有可能获得更多的合作机会。
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小结
作为一家成立仅半年的SiC产业链创企，中锃半导体能够在短时间内获得投资机构认可并拿下首轮融资，与行业热度居高不下有直接关系，也与其技术亮点密不可分。
SiC产业链环节众多，在工艺和设备领域，除中锃半导体外，谦视智能、思锐智能等厂商也在近期完成新一轮融资；在材料、器件等各个方面，相关厂商能够取得重大突破，或是有独到之处，都有可能成为资本市场“宠儿”。
文：集邦化合物半导体Zac